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LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应影响而产生感应电荷。
若电荷得不到及时释放，将在两个电极上形成的较高电位差，当电荷能量达到LED的承受极限值(这个就是LED抗静电指标值啦)，电荷将会在瞬间释放。
在极短的瞬间(纳秒级)对LED芯片的两个电极之间进行放电，瞬间将在两个电极之间(阻值最小的地方，往往是电极周围)的导电层、发光层等芯片内部物质产生局部的高温，温度高达1400℃，这种极端高温下将两电极之间的材料层熔融，熔成一个小洞，从而造成各类漏电、死灯、变暗的异常现象。
不同企业、不同工艺、不同衬底材质、不同设计制造的LED芯片抗静电也很不相同，当前市场抗静电高度更是千差万别、鱼目混珠。
LED的抗静电高低与LED的封装无关、取决于芯片本身。有些企业采取加接齐纳二极管的来保护，这是在较早期采用的一个补救方法，现在，LED芯片工艺不断进步，这个方法逐渐显得成本高、可操作性减弱。
企业一旦遇到LED死灯漏电暗亮等事故，想到的往往是加强自己生产车间静电管理，如接地、铺设静电台垫、离子风机等等，但这并不是一个根治的办法，静电是无处不在，可以说是‘躲过了初一躲不了十五’。因为所用的LED抗静电指标就低，类似于一个健康缺陷的新生儿后天再医治都是难以根治的。
企业选用抗静电指标较高的LED(芯片)，将能彻底解决你的静电带来LED的漏电、死灯等质量事故，因为抗静电高的LED，它能适应各种环境，例如LED抗静电在2000V以上，它一般都能承受我们普通的环境下的静电，达到3000V以上的LED更是能在不刻意加强静电管控的环境下，永放光芒。 |
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