ST推出节能IGBT，提升能效、安全性和可靠性 安全性, 可靠性, 晶体管

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最新的高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)兼具近乎完美的开关能效和650V的宽额定工作电压，为应用设计提供更高的安全系数

意法半导体（ST）新的HB系列绝缘栅双极晶体管(IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors)拥有比竞争对手的高频产品低达40%的关机能耗，同时可降低达30%的导通损耗。




HB系列利用意法半导体的沟栅式场截止型高速晶体管制造工艺，集电极关断尾电流极低，饱和电压(Vce(sat))为1.6V (典型值)，从而最大限度降低了开关和导通时的能耗。此外，这项技术具有良好的可控性，参数分布窗口十分紧密，从而可提高设计再用性，简化系统设计。

意法半导体的HB系列IGBT 可提升目标应用的能效，例如太阳能逆变器、电磁炉、电焊机、不间断电源、功率因数校正器和高频功率转换器。650V的宽额定工作电压确保环境温度在-40°C时击穿电压至少600V，使其特别适用于高寒地区的太阳能逆变器。175°C的最大工作结温和宽安全工作区(SOA)提高了产品的可靠性，准许目标应用使用更小的散热器。

可选参数包括30A到80A(在100°C时)的最大额定电流、多种主流的功率封装和为谐振或硬开关电路优化的内置二极管的封装。

HB系列产品现已量产。详情访问www.st.com/igbt