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关键字：非易失性RAM 铁电随机存取存储器（F-RAM） 赛普拉斯
赛普拉斯半导体公司日前宣布，其铁电随机存取存储器（F-RAM）产品系列中的1Mb并行异步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封装方式，其2Mb串行外设接口（SPI）F-RAM的温度范围扩展为-40?C 至 +105?C。
新封装方式可在替代标准的电池供电的SRAM时实现管脚兼容，应用于工业自动化、计算、网络和汽车电子应用中的关键任务系统中。F-RAM与生俱来的非易失性可以实现瞬间数据捕获，无需电池即可实现长达百年的保存时间。弃用电池可以降低系统成本和复杂性。2 Mb SPI F-RAM扩展温度范围则是为了适应很多高性能应用中的严苛工作条件。
赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Rainer Hoehler说：“赛普拉斯可提供业界最快、能效最高的非易失性RAM解决方案，并且我们致力于不断扩充我们的产品线。我们很高兴为我们的F-RAM客户提供这些新的封装和扩展温度范围的产品。”
供货情况
44-pin TSOPII 封装的1 Mb并行异步接口F-RAM器件，以及-40?C 至 +105?C扩展温度范围、8-pin TDFN 封装的2 Mb SPI F-RAM均将于2014年9月供货。
关于赛普拉斯F-RAM
赛普拉斯提供丰富的F-RAM产品线，容量涵盖4Kb至4Mb，电压范围是2.0至5.5伏。赛普拉斯的F-RAM具有近乎无限的100万亿次读写寿命，因而理想适合于写操作密集的应用。F-RAM是业界能效最高的非易失性RAM解决方案；F-RAM单元具有与生俱来的低功耗特点，无需充电泵即可工作。赛普拉斯的F-RAM对于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存储器的应用来说，是非常理想的选择。这些应用包括汽车、工业、计算、网络、智能仪表以及多功能打印机。
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