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日立与瑞萨合作开低功耗高速相变存储模块

日立与瑞萨合作开低功耗高速相变存储模块

日立与瑞萨科技宣布开发出运行于1.5V电源电压的512KB相当于4Mb相变存储模块。该器件能够实现416KB/s的写入速度和20ns的读取时间。利用以前开发的100μA(Micro安培)写入操作电流的“低功耗相变存储单元”,两家公司开发了一种可以实现高速读写操作的外设电路技术。
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