闪存锁 在FLASH_CR中，有一个LOCK位，该位为1时，不能写FLASH_CR寄存器，从而也就不能擦除和编程FLASH，这称为闪存锁。 当LOCK位为1时，闪存锁有效，只有向FLASH_KEYR依次写入KEY1、KEY2后，LOCK位才会被硬件清零，从而解除闪存锁。当LOCK位为1时，对FLASH_KEYR的任何错误写操作（第一次不是KEY1，或第二次不是KEY2），都将会导致闪存锁的彻底锁死，一旦闪存锁彻底锁死，在下一次复位前，都无法解锁，只有复位后，闪存锁才恢复为一般锁住状态。 复位后，LOCK位默认为1，闪存锁有效，此时，可以进行解锁。解锁后，可进行FLASH的擦除编程工作。任何时候，都可以通过对LOCK位置1来软件加锁，软件加锁与复位加锁是一样的，都可以解锁。 主存储块的擦除 主存储块可以按页擦除，也可以整片擦除。 页擦除 主存储块的任何一页都可以通过FPEC的页擦除功能擦除。 建议使用以下步骤进行页擦除： 1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位。以确认没有其他正在进行的闪存操作。必须等待BSY位为0，才能继续操作。 2．设置FLASH_CR寄存器的PER位为1。选择页擦除操作。 3．设置FLASH_AR寄存器为要擦除页所在地址，选择要擦除的页。FLASH_AR的值在哪一页范围内，就表示要擦除哪一页。 4．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1，启动擦除操作。 5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。 6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。 7．读出被擦除的页并做验证。擦完后所有数据位都为1。 整片擦除 整片擦除功能擦除整个主存储块，信息块不受此操作影响。 建议使用以下步骤进行整片擦除： 1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。 2．设置FLASH_CR寄存器的MER位为1。选择整片擦除操作。 3．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。启动整片擦除操作。 4．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。 5．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。 6．读出所有页并做验证。擦完后所有数据位都为1。 主存储块的编程 对主存储块编程每次可以写入16位。当FLASH_CR寄存器的PG位为1时，在一个闪存地址写入一个半字（16位）将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。在编程过程中(BSY位为1时)，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。 建议使用如下步骤对主存储块进行编： 1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。 2．设置FLASH_CR寄存器的PG位为1。选择编程操作。 3．在指定的地址写入要编程的半字。直接用指针写。 4．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。 5．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。 6．读出写入的地址并验证数据。 关于主存储块擦除编程操作的一些疑问 1． 为什么每次都要检查BSY位是否为0？ 因为BSY位为1时，不能对任何FPEC寄存器执行写操作，所以必须要等BSY位为0时，才能执行闪存操作。 2． 如果没有擦除就进行编程，会出现什么结果？ STM32在执行编程操作前，会先检查要编程的地址是否被擦除，如果没有，则不进行编程，并置FLASH_SR寄存器的PGERR位为1。唯一例外的是，当要编程的数据为0X0000时，即使未擦除，也会进行编程，因为0X0000即使擦除也可以正确编程。
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