STM32 外部 SRAM
STM32F103ZET6 自带了 64K 字节的 SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32 自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑 GUI 等，就可能不太够用
IS62WV51216 简介
IS62WV51216 是 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc）公司生产的一颗 16 位宽 512K（512*16，即 1M 字节）容量的 CMOS 静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点：
l 高速。具有 45ns/55ns 访问速度。
l 低功耗。
l TTL 电平兼容。
l 全静态操作。不需要刷新和时钟电路。
l 三态输出。
l 字节控制功能。支持高/低字节控制。
看看实现 IS62WV51216 的访问，需要对 FSMC进行哪些配置。 这里就做一个概括性的讲解。步骤如下：
1）使能 FSMC 时钟，并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能。
要使用 FSMC，当然首先得开启其时钟。然后需要把 FSMC_D0~15，FSMCA0~18 等相关IO 口，全部配置为复用输出，并使能各 IO 组的时钟。
使能 FSMC 时钟的方法：
RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
对于其他 IO 口设置的方法前面讲解很详细，这里不做过多的讲解。
2）设置 FSMC BANK1 区域 3。
此部分包括设置区域 3 的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。我们使用模式 A、16 位宽，读写共用一个时序寄存器。使用的函数是：
void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)
3）使能 BANK1 区域 3。
使能 BANK 的方法跟前面 LCD 实验也是一样的，这里也不做详细讲解，函数是：
void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState)；
通过以上几个步骤，我们就完成了 FSMC 的配置，可以访问 IS62WV51216 了，这里还需要注意，因为我们使用的是 BANK1 的区域 3，所以 HADDR[27:26]=10，故外部内存的首地址为 0X68000000。
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- //使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
- //对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17
- //对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
- #define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000))
- //初始化外部SRAM
- void FSMC_SRAM_Init(void)
- {
- FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
- FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
- GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
- RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
- RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33; //PORTD复用推挽输出
- GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出
- GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
- GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83; //PORTE复用推挽输出
- GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F; //PORTD复用推挽输出
- GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F; //PORTD复用推挽输出
- GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
- readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns
- readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到
- readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; //数据保持时间（DATAST）为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)
- readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
- readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
- readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
- readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A
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