FPEC FPEC(FLASH Program/Erase controller闪存编程/擦除控制器)，STM32通过FPEC来擦除和编程FLASH。FPEC使用7个寄存器来操作闪存： FPEC键寄存器(FLASH_KEYR) 写入键值解锁。 选项字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR) 写入键值解锁选项字节操作。 闪存控制寄存器(FLASH_CR) 选择并启动闪存操作。 闪存状态寄存器(FLASH_SR) 查询闪存操作状态。 闪存地址寄存器(FLASH_AR) 存储闪存操作地址。 选项字节寄存器(FLASH_OBR) 选项字节中主要数据的映象。 写保护寄存器(FLASH_WRPR) 选项字节中写保护字节的映象。 键值 为了增强安全性，进行某项操作时，须要向某个位置写入特定的数值，来验证是否为安全的操作，这些数值称为键值。STM32的FLASH共有三个键值： RDPRT键 =0x000000A5 用于解除读保护 KEY1 =0x45670123 用于解除闪存锁 KEY2 =0xCDEF89AB 用于解除闪存锁 闪存锁 在FLASH_CR中，有一个LOCK位，该位为1时，不能写FLASH_CR寄存器，从而也就不能擦除和编程FLASH，这称为闪存锁。 当LOCK位为1时，闪存锁有效，只有向FLASH_KEYR依次写入KEY1、KEY2后，LOCK位才会被硬件清零，从而解除闪存锁。当LOCK位为1时，对FLASH_KEYR的任何错误写操作（第一次不是KEY1，或第二次不是KEY2），都将会导致闪存锁的彻底锁死，一旦闪存锁彻底锁死，在下一次复位前，都无法解锁，只有复位后，闪存锁才恢复为一般锁住状态。 复位后，LOCK位默认为1，闪存锁有效，此时，可以进行解锁。解锁后，可进行FLASH的擦除编程工作。任何时候，都可以通过对LOCK位置1来软件加锁，软件加锁与复位加锁是一样的，都可以解锁。 主存储块的擦除 主存储块可以按页擦除，也可以整片擦除。 页擦除 主存储块的任何一页都可以通过FPEC的页擦除功能擦除。 建议使用以下步骤进行页擦除： 1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位。以确认没有其他正在进行的闪存操作。必须等待BSY位为0，才能继续操作。 2．设置FLASH_CR寄存器的PER位为1。选择页擦除操作。 3．设置FLASH_AR寄存器为要擦除页所在地址，选择要擦除的页。FLASH_AR的值在哪一页范围内，就表示要擦除哪一页。 4．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1，启动擦除操作。 5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。 6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。 7．读出被擦除的页并做验证。擦完后所有数据位都为1。 整片擦除 整片擦除功能擦除整个主存储块，信息块不受此操作影响。 建议使用以下步骤进行整片擦除： 1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。 2．设置FLASH_CR寄存器的MER位为1。选择整片擦除操作。 3．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。启动整片擦除操作。 4．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。 5．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。 6．读出所有页并做验证。擦完后所有数据位都为1。 | 
