主存储块的编程 对主存储块编程每次可以写入16位。当FLASH_CR寄存器的PG位为1时，在一个闪存地址写入一个半字（16位）将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。在编程过程中(BSY位为1时)，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。 建议使用如下步骤对主存储块进行编： 1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。 2．设置FLASH_CR寄存器的PG位为1。选择编程操作。 3．在指定的地址写入要编程的半字。直接用指针写。 4．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。 5．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。 6．读出写入的地址并验证数据。
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