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高通地位受挑战,英特尔移动芯片市场强势逼近

高通地位受挑战,英特尔移动芯片市场强势逼近

[导读] 据国外媒体报道,由于新产品在设计和制造工艺上与上一代产品相比都有长足进展,英特尔在移动市场的竞争力得到大幅提升。
关键词:Broadwell酷睿M移动芯片高通

  据国外媒体报道,由于新产品在设计和制造工艺上与上一代产品相比都有长足进展,英特尔在移动市场的竞争力得到大幅提升。高通即将发布的骁龙810芯片的跑分已经出炉,英特尔新款移动芯片的跑分要到英特尔开发商论坛(9月9日-11日)期间才能披露出来。英特尔已经解决了所有实际问题——能耗、封装和性能。但是,价格、GPU(图形处理单元)性能、集成的GPU内核数量等因素,将使高通在转向16纳米工艺前能继续保持领先地位。
  Broadwell酷睿M的技术进步
  CPU(中央处理单元)的性能提高幅度非常大。更小的封装工艺、能耗的提高、每周期执行的指令数量和更低的热设计功耗,所有这些因素大幅提高了Broadwell酷睿M的效能比。


  英特尔通过降低发热量确保采用其移动芯片的的产品无需使用风扇。这将增加英特尔进入智能手机和平板电脑市场的几率,因为更小尺寸的CPU有助于催生更轻薄的设备设计。对于移动设备厂商来说,降低设备厚度是它们优先考虑的一个问题,这有助于提高设备的便携性。多年来,英特尔还一直在采取措施降低GPU闲置期间的能耗。
  高通骁龙810芯片采用20纳米工艺,不如英特尔Broadwell酷睿M的14纳米工艺。在图形处理方面,英特尔的设计可能不如高通优秀。但是在CPU方面,笔者认为,即使英特尔的设计略有逊色,但更高的晶体管密度、每周期执行的指令的增加,将提供足够高的性能,使英特尔在明年与高通的竞争中不会落于下风。
  科技博客网站GSM Arena报道,“骁龙810集成有4个Cortex-A57内核和4个Cortex-A53内核,与骁龙805芯片相比性能提升25%-55%,能耗降低20%。骁龙810配置全新的Adreno 430 GPU,性能比Adreno 420提高30%。”
  高通计划通过更多的内核、能耗降低20%,与英特尔竞争。Adreno 430是Adreno 420的后续产品,性能的提升主要来自制造工艺由28纳米提升为20纳米。
  最先进的调制解调器芯片使高通能继续保持其竞争优势。英特尔的XMM 7260在性能上逊于高通的Gobi 9x35。在调制解调器技术方面的优势使得高通不会在英特尔的制造工艺进步面前完全认输。高通在CPU中增添更多内核的临时解决方案不够“节能”,但会提升性能。
  在设计方面,Broadwell酷睿M修正了Haswell的诸多缺陷。高通拥有优秀的CPU/GPU/调制解调器解决方案,以及能添加NFC(近距离通信)和无线充电功能的半定制设计。
  英特尔将推出第二代FinFET芯片,有更多的时间开发更好的CPU/GPU/调制解调器设计。在价格和性能方面,英特尔大幅缩小了与高通之间的差距。

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