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Nand Flash与Nor Flash

Nand Flash与Nor Flash

一 Nor的特点是芯片内执行,这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵,Nor的代码效率很高,在1-4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。  Nand结构能够提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用Nand的困难在于falsh的管理和需要特殊的系统接口。优点:大存储容量,而且便宜。缺点:就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND Flash非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。
  任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行。
  (1)Nand器件执行擦除操作是十分简单的,而Nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0.
  (2)擦除Nor器件时是以64-128kb的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s。
  Nor flash扇区擦除时间视品牌、大小不同而不同。比如,4M Flash,有的扇区擦除时间为60ms,而有的需要最大6s。与此相反,擦除Nand器件是以8-32kb的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
  (3)当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
  ·Nor的读速度比Nand稍快一些
  ·Nand的写入速度比Nor快很多
  ·Nand的4ms擦除速度远比Nor的5s快
  ·大多数写入操作需要先进行擦除操作
  ·Nand的擦出单元更小,相应的擦除电路更少。
  (4)接口差别
  Nor Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易的存取其内部的每一个字节。
  Nand器件使用复杂的I/O来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。Nand读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,因此,基于Nand的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
  (5)容量差别
  Nor Flash占据了容量为1-16MB闪存市场的大部分,而NandFlash只是用在8-128MB的产品当中,这也说明Nor主要应用在代码存储数据中,Nand适合于数据存储。
  (6)可靠性与耐用性
  -寿命(可靠性):在Nand闪存中每个块的最大擦写次数是100万次,而Nor的擦写次数是10万次。Nand存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的Nand块尺寸要比Nor器件小8倍,每个Nand存储器块在给定的时间内的时间内的删除次数要少一些。
  -位交换:所有flash器件都受位交换现象的困扰。位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正算法。位反转的问题更多见于Nand闪存,在使用Nand闪存的时候,应使用错误探测/错误更正算法。用Nand存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统,配置文件或其他敏感信息时,必须使用错误探测/错误更正系统以确保可靠性。
  -坏块处理:Nand器件中的坏块是随机分布的,Nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
  (7)易于使用
  可以非常直接地使用基于Nor的闪存。在使用Nand器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向Nand器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在Nand器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
  (8)软件支持
  在Nor器件上运行代码不需要任何的软件支持,在Nand器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),Nand和Nor器件在进行写入和擦除操作数时都需要MTD。
  使用Nor器件时所需要的MTG要相对少一些,许多厂商都提供用于Nor器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和Nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
  (9)在掌上电脑里要使用NandFlash 存储数据和程序,但是必须有NorFlash来启动。除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NandFlash启动程序。因此,必须先用一片小的NorFlash启动机器,再把OS等软件从NandFlash载入SDRAM中运行才行。
  (10)目前Nand的需求主要在移动闪存卡,USB驱动器和MP3播放器。而Nor内存主要集中在无线和嵌入式产品两大广阔市场。
继承事业,薪火相传
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