首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

分析师预言英特尔10纳米技术细节

分析师预言英特尔10纳米技术细节

[导读] 最近有位半导体产业分析师针对英特尔(Intel)将在下两个制程世代使用的技术,提出了大胆且详细的预测;如果他的预言成真,意味着芯片龙头英特尔又将大幅超前其他半导体同业。
关键词:工艺制程英特尔

  最近有位半导体产业分析师针对英特尔(Intel)将在下两个制程世代使用的技术,提出了大胆且详细的预测;如果他的预言成真,意味着芯片龙头英特尔又将大幅超前其他半导体同业。
  这位分析师David Kanter在他自己的网站发表一篇分析文章(参考连结),指出英特尔将会在10纳米节点采用量子阱(quantum well) FET;这种新的电晶体架构将会采用两种新材料──以砷化铟镓(indium gallium arsenide,InGaAs)制作n型电晶体,以应变锗(strained germanium)制作p型电晶体。
  若预测正确,英特尔最快在2016年可开始生产10纳米制程电晶体,且功耗能比其他制程技术低200毫伏(millivolts);Kanter预期,其他半导体制造业者 在7纳米节点之前难以追上英特尔的技术,差距约是两年。Kanter指出,英特尔可能还要花一年多的时间才会公布其10纳米制程计划,而他自认其预测有八九成的准确度。

  


  英特尔曾在2009年的IEDM会议论文透露其正在开发的InGaAs制程技术
  Kanter 的分析文章是根据对英特尔在年度IEEE国际电子元件会议(IEDM)发表的数十篇篇论文研究所得,此外还有英特尔与芯片制造相关的专利;他在接受 EETimes美国版访问时表示:“我所看到的一切都朝这个方向发展;问题应该不在于英特尔会不会制作量子阱FET,而是他们会在10纳米或7纳米节点开始进行。”
  “在电晶体通道采用复合半导体材料并非只有英特尔一家在研究,但显然到目前为止没有人做到像英特尔所发表的这么多;”Kanter指出:“英特尔在锗材料方面的论文与专利很少,但该技术较广为人知。”此外他预期英特尔会采用纯锗,不过也可能会透过先采用矽锗 (silicon germanium)来达到该目标。
  Kanter并表示他在发表分析文章之前,曾提供内容给英特尔看;不过该公司婉拒发表任何相关评论。
  编译:Judith Cheng
返回列表