3 主要参数
(1) 直流参数
指耗尽型MOS夹断电压UGS=UGS(off) 、增强型MOS管开启电压UGS(th)、耗尽型场效应三极管的饱和漏极电流IDSS(UGS=0时所对应的漏极电流)、输入电阻RGS.
(2) 低频跨导gm
gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。
(3) 最大漏极电流IDM
2 场效应半导体三极管
场效应半导体三极管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应三极管的结构来划分，它有结型场效应三极管JFET(Junction type Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET (Metal Oxide Semicon-ductor FET)。
2.2.1 绝缘栅场效应三极管的工作原理
绝缘栅场效应三极管(MOSFET)分为：
增强型 →N沟道、P沟道
耗尽型 →N沟道、P沟道
N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图02.13。 电极D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极;
G(Gate)称为栅极，相当于的基极;
S(Source)称为源极，相当于发射极。
(1)N沟道增强型MOSFET
① 结构
根据图02.13，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。
 图02.13 N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号
② 工作原理
1.栅源电压VGS的控制作用
当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0
进一步增加VGS，当VGS>VGS(th)时( VGS(th) 称为开启电压)，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS>VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。
VGS对漏极电流的控制关系可用iD=f(vGS)?VDS=const这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图02.14。
 图02.14 转移特性曲线
转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。
跨导的定义式如下：
 2.漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用
当VGS>VGS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。VDS的不同变化对沟道的影响如图02.15所示。根据此图可以有如下关系
 当VDS为0或较小时，相当VGD>VGS(th)，沟道分布如图02.15(a)，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。
当VDS增加到使VGD=VGS(th)时，沟道如图02.15(b)所示。这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。当VDS增加到VGD?VGS(th)时，沟道如图02.15(c)所示。此时预夹断区域加长，伸向S极。 VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。
 图02.15 漏源电压VDS对沟道的影响(动画2-5)
当VGS>VGS(th)，且固定为某一值时，VDS对ID的影响，即iD=f(vDS)?VGS=const这一关系曲线如图02.16所示。这一曲线称为漏极输出特性曲线。
 (a) 输出特性曲线 (b)转移特性曲线
图02.16 漏极输出特性曲线和转移特性曲线 | 
