瑞萨电子推出16Mb/32Mb超低功耗SRAM 电子

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2015年7月22日，日本东京讯——全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日推出了两个全新的超低功耗SRAM（超LP SRAM）系列——低功耗SRAM领域的领先产品，能够为工厂自动化（FA）、工业设备、智能电网等应用提供更出色的可靠性并延长备用电池的使用寿命。全新的16Mb RMLV1616A系列和32 Mb RMWV3216A系列采用110纳米制造工艺，融合了创新的存储单元技术，不仅大幅提升了可靠性，同时也有助于延长电池的工作时间。

　　近来，业内对用户系统安全性和可靠性的要求日渐提高，而SRAM作为存储系统程序和财务交易数据等重要信息的载体，必须具备高水平的可靠性。因此，如何减少因阿尔法辐射和宇宙中子辐射造成的软失效（注释1）成为了一项重点课题。通常情况下，解决这一问题的处理方式是在SRAM或用户系统中加入内部纠错（ECC）电路。但ECC电路的纠错能力具有一定的局限性，例如：可能无法同时纠正多个位元的错误。
　　瑞萨的超LP SRAM的存储器单元采用其独有技术，抗软失效能力（注释2）是传统全CMOS型存储单元（注释3）的500多倍，使其成为了对可靠性具有高要求的应用领域的理想之选，包括工厂自动化、测量设备、智能电网相关设备、工业设备以及消费电子设备、办公设备和通讯设备等诸多其他应用领域。
　　全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要特点如下：
　　· （1） 采用瑞萨独有的超LP SRAM技术，大幅提升了抗软失效能力，实现了更良好的可靠性
　　在瑞萨超LP SRAM的结构方面，存储单元中的每个存储节点（注释5）都结合了堆叠电容（注释4）技术，从根本上预防了软失效的出现（注释6）。此外，每个SRAM单元的负载晶体管（P沟道）为多晶硅薄膜晶体管（TFT）（注释7），堆叠于硅基板的N沟道MOS晶体管之上。在硅基板下方仅形成N沟道晶体管，这样可确保存储区内不形成寄生晶闸管，并从理论上杜绝闩锁效应（注释8）。因此，对于需要严格保证高水平可靠性的应用环境（如：工厂自动化、测量设备、智能电网相关设备、交通系统、工业设备等）而言，超LP SRAM可谓理想之选。
　　· （2） 待机电流比上一代产品降低了50%以上，有助于延长备用电池使用寿命
　　全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列16 Mb产品的待机电流仅为0.5 µA（典型值），32 Mb产品（注释9）的待机电流仅为1 µA（典型值）。新产品的电流消耗水平比瑞萨先前推出的同类SRAM产品（注释10）降低了50%以上，有效延长了备用电池的使用寿命。保存数据时的最低电源电压为1.5 V，低于先前瑞萨同类产品的2.0 V。
　　· （3） 封装选项
　　16 Mb RMLV1616A系列提供三个封装选项：48球FBGA、48管脚TSOP（I）及52管脚µTSOP （II），客户可根据自身的应用需求来选择最适合的封装方案。32 Mb RMWV3216A系列提供48球引脚的FBGA封装。
　　有关全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要规格，请参见单独的说明页（PDF： 85 KB）。
　　定价和供货
　　RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的样品将于9月发布，定价根据存储容量而有所不同。例如，16 Mb RMLV1616A系列的单价为16.5美元，32 Mb RMWV3216A系列的单价为31美元。上述两个系列的量产预计将于2015年10月启动。采用110纳米工艺的4 Mb和8 Mb超LP SRAM产品已经开始量产。