分析通过INTEL平台认证的希荻微HL7501高性能DCDC 美国硅谷, 专利技术, 线电压, 微电子, 认证

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希荻微电子推出的6A高性能DCDC芯片HL7501，通过了INTEL严格的测试认证，进入其SoFIA-3GR平台参考设计。　　据了解，希荻微电子的核心团队，是来自于美国硅谷的一个优秀IC设计团队，具有丰富的电源管理IC 设计经验和深厚的技术积累。
　　HL7501采用“Instant Duty Cycle”专利技术实现业界最优的负载和电源瞬态响应性能，HL7501输出持续电流可达6A，最大瞬态输出电流可达7.5A；并且能够实现在线电压动态调节（DVS），PFM/PWM无缝切换，在全负载范围保持高转换效率；其在PFM模式下的空载静态电流更低至60uA。该产品广泛应用于手机，平板电脑，适合用于CPU、GPU等核心处理器和模块供电。
　　一、HL7501 架构及参考电路

　

　　二、HL7501产品基本规格

　　

　　HL7501的整体性能，已经在同类产品中达到国际顶尖的水平。目前除了适用于英特尔SoFIA- 3GR平台外，HL7501还适用于高通MSM8939，瑞芯微SoFIA 3GR ，联发科MT6797（Helio X20） ，MT6592，MT8163，MT8693平台等应用。