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三极管基础知识及检测方法
一、晶体管基础
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射
极注入基区， 其中大部分空穴能够到达集电结的边界， 并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作
用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中
正向偏置 , 其电压降很小。 绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的
集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数 β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10
mA。在 500Ω 的集电极负载电阻上有电压降 VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极
之间的压降为 VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流 ib，在集电极电路中
将出现一个相应的交变电流 ic，有 c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导
体中感生出导电沟道来进行工作的。 当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流
子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在
n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电
流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>V
T 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS ,
实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三
极管和二极管两种。三极管以符号 BG（旧）或（T）表示，二极管以 D 表示。按制作材料分，
晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有 PNP 和 NPN 两种，而二极管有 P 型和 N 型之分。多数国产管用 xx
x 表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位 3 代表三极管，2 代表二极管。第
二位代表材料和极性。A 代表 PNP 型锗材料；B 代表 NPN 型锗材料；C 为 PNP 型硅材料；D
为 NPN 型硅材料。第三位表示用途，其中 X 代表低频小功率管；D 代表低频大功率管；G 代
表高频小功率管；A 代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标
略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管
来说，第三位的 P 代表检波管；W 代表稳压管；Z 代表整流管。上面举的例子，具体来说就
是 PNP 型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中
注意积累资料。
常用的进口管有韩国的 90xx、80xx 系列，欧洲的 2Sx 系列，在该系列中，第三位含义
同国产管的第三位基本相同。
三、 常用中小功率三极管参数表型号 材料与极性
Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 1
00 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112
SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45
150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625
500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN
0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190 C8580 SI-
PNP 1 -1.5A -40 200 2N5551 SI-NPN 0.625 600 180 2N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 10
0 2N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300
四、用万用表测试三极管
（1） 判别基极和管子的类型
选用欧姆档的 R*100（或 R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，
可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这
样测 3 次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是
PNP 型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表
笔为基极，且管子是 NPN 型的。
（2）判别集电极
因为三极管发射极和集电极正确连接时 β 大 （表针摆动幅度大） ， 反接时 β 就小得多。
因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对 NPN 型管，发射极接黑表笔，集电极接红表
笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两
极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。
（3） 电流放大系数 β 的估算
选用欧姆档的 R*100（或 R*1K）档，对 NPN 型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，
测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆
动的大小，摆动越大，β 值越高。 |
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