功率MOSFET的应用问题分析（3）

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问题8：关于寄生二极管和三极管，如下理解是否正确？下图中，S极并没有和P型层直接接触，那么就不存在寄生二极管，只有寄生三极管。但是这个三极管很容易误导通，所以将P型层也直接连到S级，以消弱三极管效应。那么此时就体现为明显的寄生二极管？

回复：是的，上述的理解是正确的，目前功率MOSFET的S极都和P＋连接在一起，很少用图中这样不连接的结构。主要的原因在于：对于内部寄生的三极管，S极和P＋连接在一起相当于基级和发射级短路，不连接在一起相当于开路：VCES>>VCEO。这样的内部连接，也导致内部的寄生二极管功能，也连接到外部电路。



问题9：关于米勒电容Crss，在你的文档MOSFET的动态参数中，有公式如下参考图片，Crss电容是栅极通过氧化层对漏极的电容，对于开关过程，在第2阶段，沟道打开后，Ciss为什么增加了，是什么原因？另外，AON6450规格书上的测试条件是VDS=50V的情况，这个测试的条件基于什么原因？是否可以给出其它条件下的电容值？

回复： Ciss增加的原因是Crss增加，图中，器件导通后，Wdep减小，Crss就增加。对于一个100V的器件，比如：AON6450，由于在米勒平台区，极限的情况VGD将从100V降到10V以内。Crss是一个动态电容，容值随着VDS而变化，而且不是线性关系。
    数据表中所采用的测试条件，是行业通常采用的标准，以50%的VDS测试。如果客户有特殊要求，可以提供80%或100%的数据。



问题10：功率MOSFET的SOA曲线如何得到的，可以用来作为设计的安全标准吗？
回复：任何一家公司的SOA曲线上，主要有3部分组成：电阻限制区、几条由脉冲功率限制的电流电压直线和最大电压直线。最大电压值就是数据表中的额定值。几条由脉冲功率限制的电流电压直线，实际上是计算值，就是基于数据表中的瞬态热阻、导通电阻以及最大的允许结温计算得到的，而且都是基于TC=25度，TC代表的是封装裸露铜皮的温度，在实际应用中，TC的温度远高于25度，因此，SOA曲线是不能用来作为设计的验证标准。





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问题11：VGS大于VGS(th)，MOSFET导通，MOSFET刚进入米勒平台，是否就算达到了饱和？如果是这样，此时停止向G极供电，假定忽略栅极氧化层的漏电，这时VDS会一直维持比较高压降吗？感觉有点不可思议，因为其饱和以后，Rdson已经降了下来。如果说没有饱和，也感觉说不过去，Rdson和VGS有关，达到10V以后，Rdson已经很小了，压降也应该降下来。如果说压降自动会降下来，那不是说米勒平台后期的充电没有什么用？
回复：VGS大于VGS(th)时，MOSFET开始导通，其刚进入米勒平台，MOSFET都工作在放大区，而且器件都没有完全导通，因为，此时MOSFET导通电阻非常大，D极的电压由整个MOSFET承受，因此电流较小，电流乘上电阻也等于VDS值，也就是D、S极所加的电源电压值。
事实上，MOSFET工作在线性区时，和线性电压调节器，也就是LDO，如LM7805的工作原理相同，如：当输入电压为10V，输出5V，压降就是5V；输入电压12V，输出还是5V，压降是7V，MOSFET相当于调节管，输入电压和输出电压的差值，都由MOSFET来承担。
到了米勒平台区，电流为系统的最大电流，电流不能再增加，那么，VDS的电压开始下降，即使是VDS的电压下降一点点，所产生的电压变化率也非常大，因此，驱动回路的电流，将全部被米勒电容Crss所抽取，此时，就看到了所谓的“米勒平台”，VDS的电压在一定的时间内，维持一个稳定的值，直到VDS完全下降到最小值，VDS的电压变化率为0时，才结束米勒平台区。