| 问题12：1、请教一个AO3401A的问题：现在使用AO3401A的导通电阻Rdson作为隔离电阻，用来缓冲热插入移动硬盘的瞬间冲击电流，防止瞬间把主机芯电压拉低，电路图如下，5V_USB是插移动硬盘的地方，+5V_Normal来自主机芯电压。将VGS设计在固定的-1.6V左右，此时的Rdson大约在100mΩ左右，插上移动硬盘瞬间的冲击电流由原来的9A下降到了5A左右，冲击电流持续时间80微秒左右，效果很明显，移动硬盘正常工作时电流约300mA。如果将VGS设计在-2.5V左右，Rdson只有几十mΩ，对冲击电流的抑制作用不大。这个电路的设计原则是什么？
回复：VGS=-1.6V时，可以保证MOSFET导通，注意要考虑电阻阻值的分散性，在最差的条件下，如果使用电阻的精度为10％，VGS电压绝对值：1.3+1.6*20%=1.64V，MOSFET仍然可以工作。如果电阻的精度为15％，考虑到MOSFET的VGS(th)电压的分散性，在一定的条件下，如低温，MOSFET有可能不工作。VGS(th)电压是负温度系数，温度越低，其值越大。
驱动电压的稳定值，要结合输入电压最低值，分压电阻值的精度，VGS(th)和VGS(th)的温度系数等最极端的条件下，来选择合适的分阻电阻的分压比，保证系统的设计要求。同样，PCB布板时，S和D都用大的铜皮连接，如果是多层板，在每层都放上相应大小的的铜皮，用多个10-15mil的过孔连接，散热。
2、AO3401的VGS(th)规格书中标的可以到-1.3V，设置VGS=-1.6V，电压绝对值大于-1.3V，是否该MOS正常导通，应该没有问题吧？现在损耗并不是考虑的问题，0.03V的Rdson的压降对系统没有任何影响。原来使用一个0.1欧姆的氧化膜电阻来做隔离的，但是该电阻体积太大，用这个电路的目的就是想替换这个电阻。由于这个电路中，MOSFET是在电视机开机后一直导通的，在MOSFET一直导通的状态下，来插入移动硬盘的，而不是插入移动硬盘后再打开MOS的，所以觉得调节R45/R46/C18的值不能起到降低冲击电流的作用。希望利用MOSFET的恒流区特性来降低冲击电流，如果把VGS调整到-2.5V以上，对冲击电流的限制作用就非常小了，只能从9A降到8A左右，这样的做法对MOS来说会有问题吗？
回复：事实上，下面的电路是利于MOSFET在开通过程中，较长时间工作在线性区（放大区，也就是恒流区），从而控制上电时瞬态大负载，如热插拨移动硬盘，因为硬盘带有较大的容性负载，切入瞬间形成较大的浪涌电流．如果MOSFET已经导通，后面再插入移动硬盘这样的大容性负载，浪涌电流主要由输出端的大电容来提供，因此MOSFET无法限制浪涌电流。
MOSFET工作在线性区时，电阻远大于完全导通的电阻，因此也可以理解为用电阻抑止浪涌电流。通常，这种负载开关电路，设计时，分压电阻是为了防止VGS的最大电压超过额定的最高电压，串联在G极的电阻调节MOSFET的开通速度。在保证要求的开通速度条件下，VGS不能超过最大额定电压时，可以适当提高电阻值，这样，在正常的工作状态下，MOSFET完全导通后，减小产生的静态损耗。
文章来源：微信公众号 融创芯城（一站式电子元器件、PCB、PCBA购买服务平台，项目众包平台）
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