TI创新芯片材料高 k技术突破漏电问题 芯片, 漏电, 技术

juliguo

TI 宣布计划在其最先进的高性能 45 纳米芯片产品的晶体管中采用高 k 材料。多年以来，人们一直考虑用高 k 介电层来解决漏电或耗用功率问题，随着晶体管日趋小型化，这一问题已变得日益严重。与通常采用的硅氧化层 (SiO₂) 栅介电层相比，该技术可使 TI 将单位芯片面积的漏电量降低 30 多倍。此外，TI 的高 k 技术选择还能提供更高的兼容性、可靠性以及可扩展性，有助于通过 45 纳米与 32 纳米工艺节点继续提供大批量、高性能与低功耗的半导体解决方案。