爱特梅尔ARM9嵌入式MCU提供DDR2标准配置 嵌入式

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爱特梅尔公司 (Atmel® Corporation) 宣布推出400 MHz ARM926嵌入式微控制器系列之首款产品SAM9G45，该器件支持第二代双倍数据速率DRAM (DDR2)，并针对楼宇自控系统、数据记录仪、销售终端机 (POS)、报警系统和医疗设备等工业应用而优化。ARM926 外设包括带有片上物理层的ECHI 兼容高速USB、双EBI、10/100以太网MAC、LCD和触控屏控制器、可编程1.8或3.3V I/O供电电压，以及高数据带宽架构。

      DDR2 在嵌入式应用中替代SDRAM：爱特梅尔ARM® 产品总监Jacko Wilbrink指出：“大多数基于ARM9之嵌入式微处理器仅仅支持 SDRAM存储器，但问题在于存储器供货每每由大批量 PC 市场所驱动，而SDRAM对于目前一代PC而言基本上已经过时了。而且为了应对当前的经济危机，许多存储器供货商已将其SDRAM代工厂停工，所以我们预计未来SDRAM的供货将会逐渐减少，而客户也因而也要面对相关的问题。相比之下，DDR2和DDR3能够提供更高的存储器密度、更好的性能、更低的成本和更低的功耗，正好配合市场发展的方向。”
      Jacko Wilbrink又表示：“现时，DDR3所需的最小外部总线为300 MHz，这对于大多数嵌入式微控制器而言太高了，所以DDR2是设计人员的最佳选择。我们认为DDR2将成为工业嵌入式市场的首选存储器，因此会积极主动地在基于ARM9™之微控制器中集成DDR2。我们的客户现在可以使用AT91SAM9G45和其它即将推出、具DDR2功能之微控制器，顺利将其未来设计从SDRAM转向DDR2。”
      带有 1.8或3.3V供电电压之集成式功率管理：大多数基于ARM9的微控制器最初都是为供电电压为1.8V的移动电话市场而开发的。为了适应工作电压通常为3.3V的工业应用，它们需要使用昂贵的外部功率管理IC和电平转换器。SAM9G45具有集成式功率管理功能、转换速率控制I/O和可编程1.8V或3.3V电平，采用焊球间距为0.8mm之封装，可简化工业控制设计，并降低成本。
      高连接性并支持智能UI：SAM9G45使用时钟速率为 400 MHz的处理器，带有支持133 MHz 之DDR2的双并行外部总线接口 (EBI)，并集成带有片上收发器的高速(480 Mbps) EHCI兼容USB主机和设备端口、以太网 MAC，用于MMC 4.3和 SDIO/SDCard 2.0的两个接口，以及一个带有电阻性触控屏界面CMOS相机和音频的LCD控制器，是需要高带宽通信、高密度数据储存和现代化图形用户接口之嵌入式应用的理想平台。
      分布式存储器、DMA和双EBI实现最佳数据带宽：AT91SAM9G45具有链接到处理器内核的存储器管理单元的12层系统总线阵列，以及8个中央DMA通道；6个分别专用于视频编码器、 LCD控制器、 USB主机、USB设备、以太网MAC和图像传感器接口的高速DMA；21个外设DMA (PDC) 通道；双EBI和片上分布式SRAM之小型模块，能确保以最小的处理器开销实现无间断的内部和外部数据流。高数据速率道路架构使到SAM9G45能够执行100Mpbs以上的数据传送，以及实现并行计算密集数据处理的用户界面。
      功耗：在400 MHz和1.0V内核电压下，SAM9G45功耗通常低于300 uW/MHz。在RTC、一个定时器和四个32位寄存器工作的后备模式下，其耗电量约为8 uA。
      EHCI 兼容高速 USB 主机：即便达到数十Mbps之数据速率，亦不足以满足不断增长的记录文件容量和日益复杂的用户界面的需求，AT91SAM9G45的480 Mbps高速 USB提供了便于理解、易于使用的载体，能够处理多个系统之间和同一系统电路板之间的大量数据和互连。SAM9G45 USB主机与EHCI和OHCI标准完全兼容，确保经验证的USB主机驱动程序能够直接移植到AT91SAM9G45之上。
      全面的生态系统：SAM9G45拥有全球范围 (全球范围 is a very typical China saying for worldwide) 的完备生态系统支持。该系统由业界领先开发工具、操作系统和协议堆栈供应商构成，包括Linux® distributions、Windows® Embedded CE、Mentor Graphics®、Fluffy Spider Technology、QNX®、 Micrium®、IAR®、Keil®, Segger®、Adeneo®和TimeSys®。