台积电对英特尔说 这把10纳米决胜局我要赢 英特尔, Samsung, 台积电, 分析师, 三星

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究竟谁握有最佳的半导体工艺技术?业界分析师们的看法莫衷一是。但有鉴于主题本身的复杂度以及芯片制造商传递的信息不明确，就不难了解为什么分析师的看法如此分歧了。
市场研究机构Linley Group首席分析师Linley Gwennap表示，英特尔(Intel)将在10nm工艺优于台积电(TSMC)与三星(Samsung)，就像在14nm时一样。VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson认为，台积电即将量产的10nm工艺将大幅超越英特尔的14nm节点，而且台积电正以较英特尔更快的速度超前进展。此外，International Business Strategies (IBS)创办人兼执行长Handel Jones则指出，英特尔与台积电的10nm工艺技术性能旗鼓相当。
但各方均同意，有多种变量决定了组件如何制造，对于不同类型芯片的影响也各不相同。分析师们还把责任归咎于营销部门，认为他们经常是让情况变得更加模糊，而非厘清现实。
“事实上，没有一种衡量方式能够决定一项技术的性能、功耗与晶体管密度，”Jones说，“金属层M1间距十分重要，但局部互连也会影响到布线的闸极密度与性能;闸极间距对于闸极密度相当重要，但鳍片高度也明显影响性能。”
“互连延迟正成为重大的挑战，尤其是在10nm时有80%的性能都取决于互连延迟的影响，”他补充说。