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安谱隆半导体将在IMS会议上展示LDMOS和GaN射频功放

安谱隆半导体将在IMS会议上展示LDMOS和GaN射频功放

Sergio Pires将于6月4日(星期日)在6号会议上(分配位置将在现场提供)出席题为“5G系统功率放大器创新(Power Amplifier Innovations for 5G systems)”的研讨会。

Xavier Moronval作为IMS行业论文大赛决赛入围者之一,将会在6月6日(星期二)上午10:10至11:50在316A室发表他的论文(编号:TU2G-2)“一种基于新型3Wa 1:2:1 Doherty结构的、为小基站提供最佳效率的紧凑型60W MMIC放大器(A Compact 60 W MMIC Amplifier Based on a Novel 3-Wa 1:2:1 Doherty Architecture with Best-in-Class Efficiency for Small Cells)”。

Andre Prata将于6月6日(星期二)下午15:40至17:10在夏威夷会展中心(Hawai’i Convention Center)的俯瞰大厅(overlook concourse)发表他的论文(编号:TUIF3-17)“迈向面向5G的无环形器多天线发射器(Towards Circulator-Free Multi-Antenna transmitter for 5G)”。

Raheem Qureshi将于6月8日(星期四)下午13:30至15:00在夏威夷会展中心的俯瞰大厅发表他的论文(编号:THIF2-10)“具有对封装集成式负载不敏感的E类器件的高效率射频功率放大器(High efficiency RF Power Amplifiers featuring package integrated load insensitive Class-E devices)”。
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