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美高森美推出新系列宽带塑封和裸片GaAs MMIC器件

美高森美推出新系列宽带塑封和裸片GaAs MMIC器件

美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 推出新系列宽带塑封和单片微波集成电路(MMIC)器件。新产品扩充了不断增长的高性能宽带MMIC产品组合,包括四个塑封低噪声放大器(LNA)MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3;一个宽带功率放大器(PA)芯片MMA053AA;以及两个塑封开关MMS006PP3和MMS008PP3。新的MMIC产品已于6月6至8日在作为微波周2017的一部分的夏威夷火奴鲁鲁IEEE国际微波研讨会(IMS2017)上展示。


新封装的放大器包括两个新的分布式LNA(MMA040PP5和MMA041PP5),在从DC至27GHz的更宽频率的表现优于竞争器件,具有17 dB的更高增益,OIP3为35 dBm。这些器件封装在小型5mm塑料QFN封装中,是尺寸受限应用的理想选择。另外两个宽带LNA(MMA043PP4和MMA044PP3)可提供从0.5至18GHz的极低噪声系数(NF),典型NF低于2dB,且带缘不超过2.5dB。


与竞争器件相比,两个新的宽带GaAs开关(MMS006PP3和MMS008PPS)改善了从DC至20GHz较宽频率范围的插入损耗和隔离特性。这些器件采用3mm塑料QFN封装,是满足尺寸受限应用高性能要求的理想选择。这些器件仅需要最少的片外控制逻辑,可简化系统级集成。


新发布的宽带PA芯片(MMA053AA)从DC至8GHz可保持17dB的平坦增益和35dBm的高OIP3,超过了竞争器件的性能。凭借具有竞争力的定价,客户可以利用所有这些器件的领先性能,以最小的DC功耗满足苛刻系统和模块布局要求。


美高森美射频/微波分立产品事业部战略营销总监Kevin Harrington表示:“我们推出各种新产品,代表美高森美在加强MMIC产品组合方面的重大投资,同时继续满足客户的总体要求。我们将继续投资并扩大尖端MMIC器件产品组合,我们致力于成为一家为客户提供卓越性能MMIC产品,并且值得长远信赖的供应商。”


美高森美的新MMIC宽带LNA、分布式宽带MMIC功率放大器和宽带MMIC开关非常适合航空航天、国防和工业市场的各种前端信号链应用,包括测试与测量、电子战(EW)/电子对抗/电子反对抗、高线性微波无线电和无人驾驶飞行器(UAV)及其他军事通信应用。全球市场研究和咨询公司Strategy Analytics估计,到2019年,GaAs MMIC在EW、雷达和微波通信市场的销售额将达5亿美元。


MMIC器件的主要特性包括:




MMS006PP3开关

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3x3 mm QFN塑封DC-20 GHz单刀双掷(SPDT)开关

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评估板:MMS006PP3E

MMS008PP3开关

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3x3 mm QFN塑封DC-8GHz单刀四掷(SP4T)开关

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评估板:MMS008PP3E

MMA040PP5 LNA

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5x5 mm QFN塑封DC-27 GHz分布式LNA

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评估板:MMA040PP5E

MMA041PP5 LNA

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5x5 mm QFN塑封DC-25GHz分布式LNA

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评估板:MMA041PP5E

MMA043PP4 LNA

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4x4 mm QFN塑封0.512 GHz宽带LNA

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评估板:MMA043PP4E

MMA044PP3 LNA

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3x3 mm QFN塑封618 GHz LNA

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评估板:MMA044PP3E

MMA053AAPA

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DC-8 GHz分布式PA芯片




作为MMIC产品的领导者,美高森美不断扩大其产品组合,覆盖DC65 GHz频率范围,并瞄准广泛的应用,包括电子战、雷达、测试和测量仪器仪表,以及微波通信。这些新产品建立在高性能宽带MMIC放大器、控制产品、预分频器,以及相位频率检测器等不断增加的产品组合基础之上,伴随进一步加强美高森美MMIC产品的未来高性能产品开发计划,能够确保客户满足非常专门和复杂的MMIC要求。


产品供货

美高森美的新系列MMIC器件包括四个宽带LNA(MMA040PP5MMA041PP5MMA043PP4MMA044PP3)、一个分布式宽带PA芯片(MMA053AA)和两个塑封开关(MMS006PP3MMS008PP3),均已提供样品。欲了解更多信息,请访问买芯片网www.Bom2Buy.com),一键BOM上传,快速估价,准确询价。买芯片全球首家电子元器件批量现货一站式芯片采购!
关于美高森美的射频/微波产品组合



美高森美为航空航天和国防、通信和工业应用提供业界领先的RF和微波解决方案组合。美高森美的产品组合包括Forever MMIC、PIN二极管、变容二极管、RF肖特基二极管、超低功耗无线电、Wi-Fi前端模块、射频 GaN晶体管、工业射频、科学和医疗(ISM)垂直扩散金属氧化物半导体晶体管(VDMOS)等等。
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