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3D NAND产品

3D NAND产品

“英特尔精尖制造日”活动近日举行,展示了英特尔制程工艺的多项重要进展,包括:英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节,英特尔首款10纳米FPGA的计划,并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。
“英特尔遵循摩尔定律,持续向前推进制程工艺,每一代都会带来更强的功能和性能、更高的能效、更低的晶体管成本,”英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表示,“很高兴首次在中国与大家分享英特尔制程工艺路线图中的多项重要进展,展现了我们持续推动摩尔定律向前发展所获得的丰硕成果。图注:英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭欢迎来自合作伙伴、客户、政府部门和学术界的嘉宾以及新闻媒体出席2017年9月19日在北京举行的“英特尔精尖制造日”活动。此次活动着眼于快速发展的中国技术生态系统,重申英特尔与中国半导体产业共成长的承诺。英特尔在中国深耕32年,打造了世界级的晶圆制造和封装测试工厂,自2004年以来在华协议总投入达130亿美元。
Stacy Smith进一步表示,英特尔推动摩尔定律向前发展的能力—— 每一年都持续降低产品价格并提升其性能 —— 是英特尔的核心竞争优势。英特尔一直以来都是并将继续成为推动摩尔定律向前发展的技术领导者,目前英特尔在制程工艺上保持着大约三年的领先性。
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