S3C2440 SDRAM原理到驱动解释完整版（3）

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这个单元格（存储阵列）就叫逻辑
Bank（Logical Bank，下文简称
L-Bank）。
由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的
L-Bank，而且最重要的是，由于
SDRAM的工作原理限制，单一的
L-Ban k将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率。所以人们在
SDRAM内部分割成多个
L-Bank，目前基本都是
4个（这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量），由此可见，在进行寻址时就要先确定是哪个
L-Bank，然后在这个选定的
L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。因此对内存的访问，一次只能是一个
L-Bank工作。如图2-50：


图2-50内存存储单元
当对内存进行操作时（见下图），先要确定操作L-Bank，因此要对L-Bank进行选择。在内存芯片的外部管脚上多出了两个管脚BA0, BA1，用来片选4个L-Bank。如前所述，
32位的地址长度由于其存储结构特点，分成了行地址和列地址。通过下面的内存结构图可知，内存外接管脚地址线只有13根地址线A0~A12，它最多只能寻址8M内存空间，到底使用什么机制来实现对64M内存空间进行寻址的呢？SDRAM的行地址线和列地址线是分时复用的，即地址要分两次送出，先送出行地址（nSRAS行有效操作），再送出列地址（nSCAS列有效操作）。这样，可以大幅度减少地址线的数目，提高器件的性能和制作工艺复杂度。但寻址过程也会因此而变得复杂。实际上，现在的SDRAM一般都以L-Bank为基本寻址对象的。由L-Bank地址线BAn控制L-Bank间的选择，行地址线和列地址线贯穿连接所有的L-Bank，每个L-Bank的数据的宽度和整个存储器的宽度相同，这样，可以加快数据的存储速度。同时，BAn还可以使未被选中的L-Bank工作于低功耗的模式下，从而降低器件的功耗。

图2-51 HY57561620内部结构图

开发板内存控制器管脚接线（以MINI2440开发板为例）：
（1）确定BA0、BA1的接线
表2-15 BA0、BA1接线



Bank Size:
外接内存容量大小（HY57561620是4Mbit*16bit*4Bank*2Chips/8=64MB）
Bus Width:
总线宽度 （两片16位HY57561620，并联成32位）
Base Component：单个芯片容量(bit)（256Mb）
Memory Configration：内存配置
(（4M*16*4banks）*2Chips )
由硬件手册Bank Address管脚连接配置表可知，使用A[25:24]两根地址线作为Bank片选信号，正好两根接线可以片选每个存储单元的4个BANKS。
（2）确定其它接线
SDRAM内存是焊接在BANK6~BANK7上的，其焊接管脚，如图2-52：


图2-52 S3C2440 16位宽内存芯片
上图是S3C2440提供的两片16位芯片并联连接示意图，An是CPU地址总线，其中A2~A14为内存芯片寻址总线，之所以地址寻址总线从A2开始是因为内存地址都是按字节对齐的，，A24，A25为L-Bank片选信号，Dn为CPU数据总线，其它为对应控制信号线。
表2-16
内存芯片各管脚说明

外接管脚名	内接管脚名	全称	描述
A2~A14	A0~A12	Address	地址线
D0 ~D31	DQ0~DQ31	Data Input/Output	数据线
A24,A25	BA0,BA1	Bank Address	L-BANK片选信号
DQM0~DQM3	LDQM, UDQM	Data Input/Output Mask	高，低字节数据掩码信号
SCKE	SCKE	Clock Enable	输入时钟有效信号
SCLK	SCLK	Clock	输入时钟
nSCS0	nSCS	General Chip Select	片选信号（它与nGCS6是同一管脚的两个功能）
nSRAS	nSRAS	Row Address Strobe	行地址选通信号
nSCAS	nSCAS	Column Address Strobe	列地址选通信号
nWE	newnWE	Write Enable	写入有效信号

我们通过S3C2440 16位宽内存芯片接线图可以看出，两片内存芯片只有两个地方不一样，LDQM, UDQM和数据总线DQn接线方式不一样。
由于存储芯片位宽为16位，一次可以进行两个字节的读取。但是，通常操作系统里最小寻址单位是1字节，因此内存控制器必须要保证可以访问内存里每一个字节。UDQM
，LDQM分别代表16位数据的高，低字节读取信号，当读取数据时，LDQM /UDQM分别用来控制16位数据中高低字节能否被读取，当LDQM /UDQM为低电平时，对应的高/低字节就可以被读取，如果LDQM /UDQM为高电平时，对应的高/低字节就不能被读取。当向内存里写入数据时，LDQM /UDQM控制数据能否被写入，当LDQM /UDQM为低电平时，对应的高/低字节就可以被写入，如果LDQM /UDQM为高电平时，对应的高/低字节就不能被写入。通过对LDQM /UDQM信号的控制可以控制对两个存储芯片存储数据，由于两个存储单元的地址线是通用的，他们都能接收到CPU发出的地址信号，但是，发给两个存储单元的LDQM /UDQM信号是不同的，以此来区分一个字的高低字节。
S3C2440A为32位CPU，也就是说其数据总线和地址总线宽度都是32位（可以理解为32根线一端连接CPU内部，另外一端连接向内存控制器），那么内存数据的输入/输出端也要保证是32位总线，MINI2440上采用两片16位宽总线内存芯片并联构成32位总线。其中一个芯片连接到CPU数据总线的低16位，另外一个芯片连接到数据总线上的高16位，并联成32位总线，因此两个芯片的输入/输出总线连接到CPU总线上的不同管脚上。