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华润华晶CS16N65FA9R-G

华润华晶CS16N65FA9R-G

描述
CS16N65FA9R-G,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。


特征
•快速切换
•低导通电阻(Rdson≤0.56Ω)
•低栅极电荷(典型数据:50.5oC)
•低反向转移电容(典型值:10.4pF)
•100%单脉冲雪崩能量测试
•无卤素


应用
适配器和充电器的电源开关电路
代理NXP、IWATT、INFINEON、MPS、ON品牌驱动IC
相应方案的应用及元器件供应事宜,请联系 深圳市光华创新科技有限公司 销售部
陈先生  
WeChat:19168538202(手机同号)   
TEL:0755-8271-1345
QQ:2355284756         
E-mail: cs01kwanghua1@kwanghua.cn
代理NXP、IWATT、INFINEON、MPS、ON品牌驱动IC
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