Infineon推出基于巨磁电阻效应的iGMR传感器

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juliguo发表于 2007-12-29 14:55 | 只看该作者

Infineon推出基于巨磁电阻效应的iGMR传感器

传感器, 电阻, Infineon, iGMR, 效应

今年的诺贝尔物理学奖授予了巨磁电阻效应发现者。Infineon已经开始将这一效应应用于测量汽车转向角度，并成为世界上第一个开始大批量生产集成巨磁阻抗传感器（iGMR）的半导体供应商。Infineon具有非凡精度的可测量0暗?60暗拇衅鳎闪肆礁鯣MR全桥，一个温度传感器，两个A/D转换器，几个稳压器，额外的滤波器和用于持续监测这些器件运行的内部机制。

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