FDC6000NZ:新型FLMP封装双路N-MOSFET
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- UID
- 72871
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- 男
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FDC6000NZ:新型FLMP封装双路N-MOSFET
| 3月12日讯,Fairchild半导体公司推出一种双路N-MOSFET器件FDC6000NZ,它把Fairchild的Power Trench MOSFET硅技术和SuperSOT-6 FLMP封装组合起来,其结果是,先进的MOSFET功率开关的小尺寸(高度小于0.8mm)小占位面积(最大为9.0平方毫米)的封装能给锂离子电池盒保护提供严格的电性能和热性能.FDC6000NZ的耗散功率为1.6W,最大的稳态电流为7.3A,相当于或优于目前市场上TSSOP-8器件的电流能力,而比TSSOP-8封装的器件,占位面积降低55%,高度降低27%. |
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