45nm Cell功耗降40％ 65nm四核安腾20亿晶体管 安腾, Cell, 晶体管, 功耗

风舞雪

2月3-7日，一年一度的IEEE国际固态电路会议(ISSCC)又将在洛杉矶举行，各大半导体厂商也会再次汇报自己的最新进展。根据近日公布的预览简报，本次大会最引人关注的话题包括：45nm Cell BE处理器、Intel 65nm Tukwila Itanium四核心处理器、Intel 45nm Silverthoren低功耗处理器、Sun Niagara 3十六核心处理器。

此番介绍新Cell BE处理器的不是IBM，而是索尼。索尼目前正准备将PS3主机的核心处理器从65nm带入45nm时代，并声称45nm新工艺可将Cell BE的核心面积减小34％，同时功耗降低40％。索尼还在改进Cell BE的可制造性设计，以便简化生产过程。

当然，Intel依然是ISSCC的最大主角，占据了预览简报的16页之多(共115页)。虽然Intel会进一步透露其万亿次计算项目TeraScale的进展，不过这不是重点，甚至可能不会有专门的讨论会。

文档显示，Tukwila核心的Itanium服务器处理器将采用65nm工艺生产，集成四个处理核心，晶体管数量多达20亿个，包括30MB二级缓存，因此核心面积达到了近乎疯狂的699平方毫米，集成电路也是目前Montvale核心的三倍。另外，Tukwila将引入新的互联总线QuickPath Interconnect，处理器之间的带宽可达96Gb/s，同时峰值内存带宽34GB/s。

Intel现有的Itanium 2处理器为90nm工艺生产，双核心，二级缓存最大24MB，晶体管17亿个。

相比之下，Silverthorne走的则是微型化路线，并得益于45nm工艺，在25平方毫米的面积里集成了4700万个晶体管，并采用441针μFCBGA封装。这款x86处理器预计今年晚些时候发布，采用2-issue、顺序管线设计，拥有32KB一级指令缓存、24KB一级数据缓存、512KB二级缓存、浮点和整数运算单元，支持533MHz前端总线。

此外Intel还会展示其相变存储技术的最新成果，包括一颗90nm工艺、256MB容量的多层单元(MLC)芯片，可反复擦除、写入10万次。Intel认为这种新技术有望取代目前大兴其道的闪存技术。

最后，Sun准备的是第三代Niagara处理器：Niagara 3采用65nm工艺制造，核心面积396平方毫米，拥有16个核心，可同时执行32个线程，主频2.3GHz。