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问个特SB的问题。。。大家帮帮忙

我给你介绍一种最简单的ICT,你应该是在台资企业,就介绍TR518,让你有一个概念:
1.        何謂ICT?
ICT即在綫測試儀(In Circuit Tester),是一大堆高級電錶的組合。電錶能測到,ICT就能測到,電錶測不到, ICT可能也測不到。
2.        ICT能測些什麽?
Open/Short,R,L,C及PN結(含二極體,三極管,Zener,IC)
3.        ICT與電錶有何差异?
ICT可對旁路元件進行隔離(Guarding),而電錶不可以。所以電錶測不到,ICT可能測得到。
4.        ICT與ATE有何差异?
ICT只做靜態測試,而ATE可做動態測試。即ICT對被測機板不通電(不加Vcc/GND),而ATE則通電。
ICT量測原理 1. 量測R: 單個R(mode0,1): 利用Vx=IsRx(歐姆定律),則Rx=Vx/Is.信號源Is取恒流 (0.1uA—5mA),量回Vx即可算出Rx值. R//C(mode2): 信號源Vs取恒壓(0.2V)、量回Ix,則Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix算出 Rx值.. R//L(mode3,4,5): 信號源取交流電壓源Vs,籍相位法輔助. |Y’|Cosθ=YRx=1/Rx ,幷Y’=I’x/Vs 故:Rx=1/|Y’|Cosθ 2. 量測C/L: 單個C/L(Mode0,1,2,3):信號源取恒定交流壓源Vs Vs/Ix=Zc=1/2лfCx ,求得:Cx=Ix/2лfVs Vs/Ix=Zl=2лfLx ,求得:Lx=Vs/2лfIx C//R或L//R: 籍相位法輔助 |Y’|Sinθ=|Ycx|,即ωCx’Sinθ=ωCx 求得:Cx=Cx’Sinθ (Cx’=Ix’/2лfVs) |Y’|Sinθ=|Ycx|,即Sinθ/ωCx’ =1/ωCx 求得:Lx=Lx’/Sinθ (Lx’=Vs/2лfIx’) 3. 量測PN結:(D、Q、IC) 信號源0-10V/3mA or 30mA可程式電壓源,量PN結導通電壓 4. 量測Open/Short: 即以阻抗判定:先對待測板上所有Pin點進行學習,R<25Ω即歸爲Short Group,然後Test時進行比較,R<5Ω判定爲Short,R>55Ω判爲Open. 5. Guarding(隔離)的實現: 當Rx有旁路(R1)時,Ix=Is-I1≠Is, 故:Vx/Is≠Rx 此時取A點電位Va,送至C點,令Vc=Va, 則:I1=(Va-Vc)/R1=0,Is=Ix 從而:Vx/Is=Rx 程式的編寫 1、 在T[測試]下,設定P“測試參數” 2、 在E[編輯]下,編寫程式: 步驟 零件名稱 實際值 位置 高點 低點 隔點1 2 3 4 5 删略 量測值 標準值 上限% 下限% 延遲 信號 類別 重測 中停 補償值 偏差%。 1 R3 47K A1 21 101 0 0 0 0 0 0 47K 10 10 0 0 0 0 0 0 0 2 C22 100n D2 7 52 0 0 0 0 0 0 100n 30 30 0 0 0 0 0 0 0 3 L1 22u B2 1 87 0 0 0 0 0 0 22u 30 30 0 0 0 0 0 0 0 4 D5 0.7V C1 16 19 0 0 0 0 0 0 0.7V 20 20 0 0 0 0 0 0 0 3、 .進入L[學習],做Short Group學習.若有IC,還需做IC Clamping Diode學習。 4、 在主畫面在下測試,檢驗程式及開始Debug。 程式的Debug 編寫好的程式在實測時,因測試信號的選擇,或被測元件綫路影響,有些Step會Fail(即量測值超出±%限),必須經過Debug。 R:在E[編輯]下,ALT-X查串聯元件,ALT-P查幷聯元件。據此選好“信號”(Mode)和串聯最少元件的Hi-P/Lo-P,幷ALT-F7選擇Guarding Pin。 R//C:Mode2及Dly加大(參考:T=5RC) R//D(or IC、Q):Mode1 R//R:Std-V取幷聯阻值 R//L:Mode3、4、5;根據Zl=2πfL,故L一定時,若f越高,則Zl越大,則對R影 響越小 C:在[編緝]下一般根據電容值大小,選擇相應的Mode。如小電容(pF級),可選高 頻信號(Mode2、3),大電容( nF級)可選低頻信號(Mode0、1),然後ALT-F7 選擇隔離。3uF以上大電容,可以Mode4、8直流測試。 C//C:Std-V取幷聯容值 C//R:Mode5、6、7,由Zc=1/2лfC,故C一定時,f越高,Zc越小,則R的影響越小。 C//L:Mode5、6、7,幷且f越高效果越好。 L:F8測試,選擇Mode0、1、2中測試值最接近Std-V,然後Offset修正至準確。 L//R:Mode 5、6、7。 PN結:F7自動調整,一般PN正向0.7V(Si),反向(2V以上) D//C:Mode1及加Delay。 D//D(正向):除正向導通測試,還須測反向截止(2V以上)以免D反插時誤判。 Zener:Nat-V選不低于Zener崩潰電壓,若仍無法測出崩潰電壓,可選Mode1(30mA), 另外10-48V zener管,可以HV模式測試。 Q:be、bc之PN結電壓兩步測試可判斷Q之類型(PNP or NPN),Hi-P一樣(NPN), Lo-P一樣(PNP),幷可Debug ce飽和電壓(0.2V以下),注意Nat-V爲be偏置電 壓,越大Q越易進入飽和,但須做ce反向判斷(須爲截止0.2V以上),否則應調小 Nat-V。 不良報表的閱讀 不良零件位置圖: A B C D E 123456 R3 H1 D5 L2 L1 VH C22 H2 以H0代有上限值(標準值,L0代表下限值: L1表示:量測值介于L0與L0-(H0-L0)10%之間 L2表示:量測值介于L1與L0-(H0-L0)20%之間 VL表示:量測值低于L2 H1表示:量測值介于H0與H0+(H0-L0)10%之間 H2表示:量測值介于H1與H0+(H0-L0)20%之間 VH表示:量測值高于H2 不良記錄: ******Open Fail****** (48)(45 48)表示48點與短路組(45 48)斷開,可能是探針未接觸到PCB焊盤,或板 上有斷路。 ******Short Fail****** (20)(23)表示20點與23點短路(R<5Ω),可能是板上有錫渣造成Short,裝錯零件造 成Short,零件脚過長造成Short等。 *****Component Fail**** 1 R3 M-V:52.06K,Dev:+10.7% Act-V=47K Std-V=47K Loc:A1 Hi-P=21 L0-P=101 +LM:+10% -LM:-10% 表示:R3偏差+10.7%,可能爲零件變值,或接觸不良。若偏差+999.9%或很大,可能爲缺件、錯件超出標準值所在量程上限,(如47K在30K—300K量程內);若偏差0.00% 或很小,可能爲短路,錯件超出其標準值所在量程下限。 ICT誤判分析 1.ICT無法測試部分: ⑴.記憶體IC(EPROM、SRAM、DRAM…) ⑵.幷聯大10倍以上大電容的小電容 ⑶.幷聯小20倍以上小電阻的大電阻 ⑷.單端點之綫路斷綫 ⑸.D//L,D無法量測 ⑹.IC之功能測試 2.PCB之測點或過孔綠油未打開,或PCB吃錫不好 3.壓床壓入量不足。探針壓入量應以1/2-2/3爲佳 4.經過免洗制程的PCB板上松香致探針接觸不良 5.PCB板定位柱鬆動,造成探針觸位偏離焊盤 6.治具探針不良損壞 7.零件廠牌變化(可放寬+-%,IC可重新Learning) 8. 治具未Debug好(再進行Debug) 9. ICT本身故障 硬體檢測 1、 開關板:診斷(D)----切換電路板(B)----系統自我診斷(S)----切換電路板診斷(S) 若有B* C*表示SWB有Fail,請記錄幷通知TRI。C*有可能爲治具針點有Short 造成。 2、 系統自我檢測:診斷(D)----硬體診斷(S)----系統自我檢測(S) 有R、D項Fail可能爲DC板故障,有C、L項Fail可能AC板Fail, 有Power 項Fail可能Power板Fail。也請記錄幷通知TRI。
受益匪浅!谢版主。
我原来在电话厂做过简单的电话板测试,太简单了,全手工,探针不过十多颗。
希望多出几期,我下载学习。对于分离元件的测试我能理解(个人觉得此时仪器相当于一个计算器),IC的测试岂不是要知道内部结构才行?
要做到熟练或优化测试需要一定时间。
大哥:你把TR的东东都搬来了
———————— HP3070——————————
没有办法, 在坛子里的朋友有些是刚刚入门的,简单一点的会比较容易懂。

问个特SB的问题。。。大家帮帮忙

公司要购买ICT测试基板
但是小弟还不知道ICT是什么东东,很是迷惑。

1)ICT具体是做什么的?
2)目前主要的ICT测试系统有什么?分别都有什么特点?
3)ICT能做到测试短路开路和元件的参数的测量吗?基本原理是什么?比如元件放在基板上可能参数就变了,它是怎么测试的。
4)ICT选点的原则是什么?即怎么选点?

以上。
各位大哥大姐。希望大家不吝赐教。。

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