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关于HC908的块保护寄存器的编程

关于HC908的块保护寄存器的编程

对于HC908的flash块保护寄存器,如何在程序下载的过程中,直接对齐进行编程。


如果使用CW直接生成S19文件进行编程的话,如果进行设置。


我在prm文件中,直接将块保护寄存器定义成一个字节的段,然后使用fill指令,进行填充,但是生长S19文件之后,不能生成相应的编程代码。如果把它定义成两个字节以上的段,是可以的。但是对HC908GZ32来说,定义两个字节以上的段,意味着其它的区域都是保留的。


 


如果在编程过程中,对保留区间进行编程,会有什么效果的那?

可以不必定义成段。用“@”的格式定义一个确定地址的常量即可。
海纳百川  有容乃大
块保护寄存器是不是可以通过内部的软件编程也可以对其进行编程,而不需要外部的IRQ加高压,但是擦除是需要加高压才可以将块保护寄存器擦除的?
应该可以,但只是在块保护寄存器为$FF的情况下才行。一般我们推荐在对芯片编程时同时写入块保护寄存器的值,而不是由软件对其进行编程。因为块保护寄存器的本意就是防止软件出错时对FLASH的意外擦写操作。
海纳百川  有容乃大
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