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- UID
- 340705
- 性别
- 男
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版主,根据您给我的回帖,又对照了freescale的《HCS12扩展总线例子》的技术文档，发现里面有个现象我不太明白，就是有些例子是用ECLK做片选信号，有时是将ECS和XCS接到与非门后再做片选，不知这两个有什么区别。能详细说明一下吗？
另外，做片外扩展时，我又有以下的几个疑问恳请版主回答：
(1) 如果外扩的位小于或等于16K时，是不是一定要把MISC寄存器中的ROMHM位置位以disable低16K(也就是地址为0x4000~0xBFFF)的FLASH ROM，然后用外扩的存储器来代替disable的部分？
(2) 根据总线例子那篇文档，我发现就是当外扩的容量很大时，象128K之类的，不是要将它放在分页区由PPAGE决定到底访问了哪一页吗，是不是无论是外扩RAM或FLASH ROM都是由PPAGE决定的。而且页号 RAM是00到0f，FLASH ROM 30到3f呢？
(3) 我看datasheet时总有一种印象，感觉是当外扩时，好象有除了有一部分外，其余自动被认为是外部存储器，就是不知是哪一部分，能指出一下吗？
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