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用flash做eeprom时,现场受干扰数据被改变的概率有多大?

用flash做eeprom时,现场受干扰数据被改变的概率有多大?

请教:
用flash做eeprom时,现场受干扰数据被改变的概率有多大?
这个很难说...但是应该与使用外部EEPROM的概率是差不多的。
海纳百川  有容乃大
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