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- UID
- 104381
- 性别
- 男
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飞思卡尔推出了全球第一款商用磁阻式随机存储器（MRAM）。MRAM产品采用尺寸小、结构简单的存储单元，在非易失性RAM市场上实现了最高的密度和最佳的性价比。MRAM的产品队伍正在壮大，包括现已推出的全球首款3V 4 Mbit扩展温度的nvRAM，以及飞思卡尔的第一款1Mb商用MRAM产品，它们都与SRAM引脚兼容。我们满足了非易失性RAM市场不断增长的需求。4Mbit MRAM器件可用于更加恶劣的应用环境，如针对工业、军事、航空和汽车的设计。MRAM存储单元结构简单，这使得它在竞争激烈的独立非易失性RAM（nvRAM）产品中具有出众的性能与价格优势。
MR2A16A是一款4,194,304 位（262,144字 x 16位）磁阻式随机存取存储器（MRAM）。MR2A16A配有片选使能（E*）、写入使能（W*）和输出使能（G*）引脚，可以实现极高的系统设计灵活性，且不会发生总线冲突。由于MR2A16A具有独立的字节使能控制（LB*和UB*），所以可以写入和读出单个字节。
MRAM是一项非易失性存储器技术，可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。MR2A16A是那些需要永久存储和快速读写关键数据应用的理想存储器解决方案。
特性 :
- 单个3.3V电源供电
- 商用温度范围（0℃ ~ 70℃）
- 工业级温度范围（-40至+105℃）
- 对称式高速读/写能力，且具有快速的存取时间（35ns）
- 灵活的数据总线控制 - 8位或16位存取
- 相等的地址和片选使能存取时间
- 利用低压禁止电路自动保护数据，以防止掉电时错误写入
- 所有的输入和输出都是 TTL 兼容的
- 全静态操作
- 全非易失性操作，最短的数据保留期为10年
有关首款3V 4 Mbit扩展温度的nvRAM: http://www.freescale.com.cn/Products/MRAM.asp |
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