关于BDM烧写

用的是S12单片机，现在目标晶振接的是2MHz，所以默认的BDM烧写时钟是1MHz；
想提高烧写速度，印象中可以用S12的内部时钟8MHz来烧写，但一下子没有找到相应的资料解释
哪位高手帮下忙，告诉我怎么提高BDM的烧写速度
不胜感激！！

回复引用

论坛元老

Rank: 8 Rank: 8

2^#

strongchen发表于 2007-9-3 10:26 | 只看该作者

我认为你提高时钟频率后，只能提高BDM通讯速率，并不能提高多少烧写速度。应为FLASH的烧写速度本身是有限制的。

海纳百川有容乃大

回复引用

中级会员

Rank: 3 Rank: 3

3^#

dycheng发表于 2007-9-3 16:58 | 只看该作者

FLASH的烧写速度倒是没有考虑到
不过斑竹能告知一下怎么设置BDM的通讯速率吗，我在BDM寄存器BDMSTS中修改CLKSW位来修改通讯速率，但没有成功，烧写的时候还是目标晶振的一半
各位高手也请帮帮忙啊

回复引用

论坛元老

Rank: 8 Rank: 8

4^#

strongchen发表于 2007-9-4 09:47 | 只看该作者

BDM的通讯速率是自动检测的，不用设置。BDM寄存器用户软件是无法修改的，只能通过BDM命令来操作。

海纳百川有容乃大

回复引用