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瑞萨科技研制高速高可靠性的MRAM技术

瑞萨科技研制高速高可靠性的MRAM技术

12月15日讯,瑞萨科技公司宣布研制出一种高速度、高可靠性的MRAM(磁阻式随机存取存储器)技术,用于系统级芯片(SoC).有希望在工作电压为1.2 V时达到超过143 MHz的高速度, 重复写入次数超过一千亿次的高可靠性.
 
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