[求助]DG128存储器EEPROM EEPROM, 存储器, 求助

康桥人

这两天看了MC9S12DG128的EEPROM,有几个疑问,希望大家解决与讨论.

首先一点,编译器默认的EEPROM可以区为1KB(0x00400~0x007FF)，然而在PRM文件中，没有定义EEPROM的地址，而是直接定议了“ RAM = READ_WRITE 0x0400 TO 0x1FFF;”，总共7KB的空间，然而在DP256的PRM文件中明确定义了默认的地址：/* EPROM */
EEPROM = READ_ONLY 0x0400 TO 0x0FEF;

如果我要用DG128的默认1KB的EEPROM，需要改PRM文件吗？如何改。

再则对于DG128，要用2KB的EEPROM，8KB的RAM，除了设置相应的寄存器外，还用不用改PRM文件中RAM定义的地址。

[此贴子已经被作者于2008-7-1 19:12:29编辑过]

strongchen

在CodeWarriro创建的PRM文件中，EEPROM的地址空间是按照芯片上电复位后的缺省地址定义的。如果EEPROM的缺省地址是被更高级别的内存，如寄存器和RAM覆盖掉的，则PRM文件中就没有EEPROM的地址定义了。如果你要使用EEPROM，就需要重新映射内存地址。PRM文件和寄存器都要做相应的修改。

康桥人

明白了,3Q,改天再试,呵呵