使用的是9S12XDT512，BANKED模式。 简单描述一下“事故”发生的经过：在成功对FLASH进行擦除和写操作后，我想测试一下FLASH擦写全过程的消耗时间，结果发现擦除操作花了22个ms（总线频率40M，使用的是sector erase指令—0x40），而写入操作是us级的，由于感觉擦除操作的时间太长，于是我想换一条擦写指令，就用了mass erase指令—0x41（事后才想起来这个是全擦除！）。结果烧录之后，发现程序跑不起来，于是我赶紧又将程序改回去，再编译之后，启动BDM的时候，就发现一直在报错，无法连上！ 是不是我把MCU中驻留的与BDM相关的代码也擦除掉了！有什么办法恢复吗？ 另外，9S12XDT512的FLASH操作是否没有字擦除的指令？FLASH擦除的时间真的要那么长吗？ | 
