电源产品的瞬态响应测试有多种测试方法。其中，有利用电子负载的动态测试功能来实现的方法。可是如何公司的电子负载没有这样的功能，或者还想实现某些特别的测试，那么也可以采用本文中描述的方法。该方法由我公司雨来科技技术部提供(http://www.yulai-tech.com)。
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NMOS + PMOS inverter structure
PMOS 和NMOS 以反相器联结。信号发生器提供控制信号以控制NMOS和PMOS的栅极。PMOS源接较高的电压，NMOS源接较低电压。电阻和电容用于优化瞬时波形：电阻R1改善电压过冲，两个电解电容C1和C2用来过滤输出电压。
图 1 为实际原理图. U1 是一个双N & P-通道的场效应管。
图 2 以AAT1146为例。设置为C1=2200uF，C2=10Uf，R1=0.5Ω。测量条件是：Vin=3.6V~4.2V，Vout=1.8V, ILoad = 400mA。图2中， channel 1 是 Vin, Channel 2 是 Vout (AC).
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| 图 1: NMOS+PMOS inverter structure | 图 2: AAT1146 Line Transient Response using method 1 |
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Diode + NMOS structure 图3 是另外另外一种测试原理图。图 4也是AAT1146的测量结果。 D1和 D2 采用 EC21QS03L.。C2 是10uF 电解电容. 测量条件同上。
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| Figure 3: Diode+NMOS structure | Figure 4: AAT1146 Line Transient Response using method 2 | | | |
推荐
| 描述 | 值 | C1 | Electrolytic Cap 2200uF 16V | 2200uF | C2 | Electrolytic Cap 10uF 16V | 10uF | R1 | Res 0.5Ohm 5W | 0.5 Ohm |
注意： 评估板或测试板的Vin和Gnd上的导线应够粗够短，焊接良好，以降低信号噪声。
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