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飞思卡尔™半导体(Freescale Semiconductor)
» [讨论]EEPROM的擦除时间
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[讨论]EEPROM的擦除时间
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lilacindream
发表于 2005-8-19 23:30
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只看该作者
[讨论]EEPROM的擦除时间
EEPROM
,
时间
,
讨论
我用的是9S12DG128,写了一个写内部EEPROM的程序,结果测得EEPROM的擦除4B的时间大概是20ms左右,大侠们可有高招能将这个时间缩短?比如说用中断?
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maingao
发表于 2005-8-23 10:17
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只看该作者
4bytes用20ms?这好像是有点问题吧!你是怎么处理的呢?
数据手册上的典型的擦除时间是多少呢?
Gulf
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lilacindream
发表于 2005-8-23 12:05
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只看该作者
我看了9S12DG128的datasheet,用上面的公式算出来的典型时间也是20ms,具体计算公式如下:
Sector Erase
Erasing a 512 byte Flash sector or a 4 byte EEPROM sector takes:
Tera=4000*(1/f nvop)
其中fnvop=200K(最大值)
故Trera=20ms
应该没有错吧?
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strongchen
发表于 2005-8-23 14:49
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只看该作者
从数据手册看,擦除一个512字节的FLASH扇区和擦除一个4字节的EEPROM扇区一样,都要大约20mS的时间。
海纳百川 有容乃大
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maingao
发表于 2005-8-23 16:14
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只看该作者
如果是这样就没问题了,软件优化已经没有作用了!
Gulf
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