首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

[讨论]

[讨论]

在查一些英语的PDF资料时,会看到"TL/H/7768-6"之类的文字还有"SEE NS PACKAGE NUMBER H10C" .请问是什么 意思
超级菜鸟求助
是芯片的PDF吗,如是的话可能指封装和批号。NS--US吧?????
学后而问
具体指哪一篇资料的哪一页?
海纳百川  有容乃大
不好意思,因为国庆放假才这么晚回的帖子。是蕊片的。可是NS--US是什么意思,我也觉得是封装和批号的。至于哪一篇我忘了。因为我查了很的多蕊片,有很多不懂的,发帖子的时候刚好是查这个,也没做记录。下次请教时我会注意的。谢谢。
超级菜鸟求助
还有一些蕊片问题请教:The SST49LF00  FLASH MEMORY devices are designed to be read-compatible with the Intel 82802 Fimware Hub device for PC-BIOS application.

这句话是不是只SST49LF00能与82802互换,还是这两个蕊片是配套使用的。
我知道“COMPATIBLE”译成“兼容”,但兼容是指什么呢?

谢谢!
超级菜鸟求助
要得到详细解答,最好能告知是哪篇资料。
海纳百川  有容乃大
Ok.谢谢,下次有新问题再请教你们!
超级菜鸟求助
"EDL5132CBMA:512Mb移动RAM多片封装(MCP),在单片封装内集成了组成为4,194,304字x32bx4组的2片256Mb移动RAM,采用90引脚FBGA封装, 具有低电压电源,VDD为1.7V到1.95V,VDDQ为1.7V到1.95V,工作温度-20度到85度C,可编程的部分阵列自刷新,可编程驱动器强度,内置温度传感器的自动温度补偿自刷新,深度降功耗模式,全同步的动态RAM,所有的信号基准于正时钟边沿,脉冲接口,BA0和BA1可控制四个内部组,由DQM进行字节控制,自动预充电和控制预充电,自动刷新和自刷新,8192刷新/64ms,可用在手机和其移动设备"

这是我从网上COPY下来的."引脚"是什么意思."VDD为1.7V到1.95V,VDDQ为1.7V到1.95V"这个伏数范围是越大越好呢,还是看其他而论.
超级菜鸟求助
" K4J52324QC-B:512Mb GDDR3 SDRAM,最大时钟频率800MHz,最高数据速率1.6Gbps/引脚,536,870,912位(8 x 2,097,152字x32位),工作电压2.0V+/-0.1V,有数据选通的同步特性有极高的性能,大到6.4GBps/芯片,I/O处理能在时钟的两个边沿上进行,具有芯片内终端(ODT)性能,输出驱动器强度由EMRS调整,效准的输出驱动,1.8V假漏极开路和输入/输出兼容,内部4组可同时工作,差分时钟输入(CK和/CK),每个正CK边沿指令进入,CAS等待有4,5,6,7,8,9,10和11周期,可编程突发长度4和8,可编程写等待有1,2,3,4,5,6和7周期,每字节单端READ选通(RDQS)和WRITE(WDQS)选通,自动和自身刷新模式,自动刷新32ms(8K周期),136引脚FBGAF封装,可用在高性能存储器系统"

以上是我从网上COPY下来的,"最大时钟频率800MHz",一般的时钟频率是越高越好还是????然后在这个的英语版里看到,"VDD&VDDQ=2.0V+/-0.1 Distinguished by part number as -BJ
VDD&VDDQ+1.8V=/-0.1V Distinguished by part number as -BC"这是什么意思
超级菜鸟求助
"changed part number from K4J52324QB-G to K4J52324QC-B
Packge code attribute re-defined:G...144FBGA,Leaded   V....144FBAG,Lead free
                                 A...136FBGA,Leaded   B...136FBGA,Lead-free"

这里的LEADED 和LEAD FREE 是什么意思,有什么区别吗
超级菜鸟求助
LEADED是有铅的;LEAD-FREE是无铅的。
海纳百川  有容乃大
返回列表